Détails sur le produit:
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Lieu d'origine: | La Chine |
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Nom de marque: | JINXING |
Certification: | ISO 9001 |
Numéro de modèle: | Cible de pulvérisation de tungstène |
Conditions de paiement et expédition:
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Quantité de commande min: | 1 kg |
Prix: | 20~150USD/kg |
Détails d'emballage: | CAISSE DE CONTRE-PLAQUÉ |
Délai de livraison: | 10~25 jours de travail |
Conditions de paiement: | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union |
Capacité d'approvisionnement: | 100000kgs/M |
Détail Infomation |
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Matériel: | tungstène | Processus: | HIP, CIP, forge |
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Taille: | Adapté aux besoins du client | application: | Revêtement de PVD |
Densité: | 19.25g/cm3 | Forme: | Rond, plat, cible de pulvérisation |
Grosseur du grain: | Grosseur du grain fin | Pureté: | 99,95% |
Surligner: | Cible de pulvérisation de tungstène de grain fin,Cible de pulvérisation avec la hanche,Cible de pulvérisation de tungstène de processus de forge |
Description de produit
La cible de tungstène, cible de pulvérisation de WTi, la cible de pulvérisation de tungstène est un substrat important pour le tungstène à pellicule d'oxyde pour réaliser sa transition fonctionnelle dans le dispositif de semi-conducteur. En raison du point de fusion élevée de tungstène, cibles de tungstène sont principalement préparés par métallurgie des poudres
Description
La cible de pulvérisation de tungstène est un substrat important pour le tungstène à pellicule d'oxyde pour réaliser sa transition fonctionnelle dans le dispositif de semi-conducteur. En raison du point de fusion élevée de tungstène, cibles de tungstène sont principalement préparés par métallurgie des poudres
En raison de sa stabilité à hautes températures, résistance élevée de transport d'électron et coefficient élevé d'émission d'électrons, tungstène réfractaire en métal et alliages de tungstène ont été très utilisés à la fabrication de circuit intégré de large échelle de semi-conducteur. Cibles de grande pureté de tungstène et d'alliage de tungstène pour des semi-conducteurs. Les champs d'application, les exigences de marche et les méthodes de préparation de matériaux ont été analysés en détail, et la perspective de développement a été prospectée. Des cibles de grande pureté de tungstène et d'alliage de tungstène sont principalement employées pour fabriquer des électrodes de porte, des câblages de connexion et des barrières de diffusion des circuits intégrés de semi-conducteur. Etc.,
il y a des conditions extrêmement élevées sur la pureté des matériaux, du contenu d'impureté, de la densité, du grosseur du grain et de l'uniformité de structure granulaire. Les cibles de grande pureté de tungstène et d'alliage de tungstène utilisation principal le pressing chaud, le pressing isostatique chaud, etc. au moyen d'agglomération de fréquence moyenne + pression traitant, de grande pureté, des cibles à haute densité de tungstène peuvent être préparées, mais le contrôle d'uniformité de grosseur du grain et de structure granulaire, n'est pas aussi bon comme cibles de tungstène préparées par le pressing isostatique chaud.
La cible agglomérée de tungstène pour pulvériser, a caractérisé parce que qu'elle montre une densité relative de 99 % ou plus, un diamètre de grain en cristal moyen de 100 m ou moins, une teneur en oxygène de 20 pages par minute ou moins et d'une force de débattement de MPA 500 ou plus et d'une méthode pour préparer la cible de tungstène avec la stabilité à un coût bas, qui emploie des états améliorés de production pour une poudre de tungstène de matière première et des états améliorés d'agglomération. La cible agglomérée de tungstène a un haut niveau de densité et d'un niveau élevé de la finesse d'une structure cristalline qui n'a été jamais réalisée par une méthode conventionnelle de frittage sous pression et est nettement améliorée dans la force de débattement, qui a eu comme conséquence la diminution significative dans l'occurrence des défauts de particules.
Densités | Technique |
19.2g/cm3 | Pièce forgéee |
18.2g/cm3 | Agglomération |
Matériel : Tungstène
Condition : la terre
Application : Industrie de revêtement de PVD, tube à rayon X et ainsi de suite.
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