Disques de molybdène de haute pureté
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Détails sur le produit:
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| Lieu d'origine: | La Chine |
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| Nom de marque: | JINXING |
| Certification: | ISO 9001 |
| Numéro de modèle: | Ion Implanting Molybdenum Products |
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Conditions de paiement et expédition:
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| Quantité de commande min: | 15 kilogrammes |
| Prix: | négociable |
| Détails d'emballage: | caisses de contreplaqué |
| Délai de livraison: | 15-20 jours |
| Conditions de paiement: | L/C, T/T, D/P, Western Union |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000 kilogrammes par mois |
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Détail Infomation |
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| Nom de produit: | Ion Implanting Molybdenum Products | Catégorie: | Mo1 |
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| Densité: | 10,2 G/cm3 | Pureté: | >=99.95% |
| Résistance à la traction: | >MPA 320 | Élongation: | <21> |
| Norme: | ASTM B387-2010 | Application: | Industrie de semi-conducteur |
| Mettre en évidence: | Ion Implanting Molybdenum Products,99,95% produits de molybdène |
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Description de produit
Ion Implanting Molybdenum Products sont une technologie de faisceau d'ions qui ionise les atomes d'un élément dans des ions, les accélère à une tension des dix aux centaines de kilovolt, et les injecte dans la surface du matériel d'objet placée dans la chambre de cible de vide après obtention de la grande vitesse.
Après implantation ionique, les propriétés d'examen médical, chimiques et mécaniques de la surface du matériel changeront de manière significative. La résistance à l'usure continue de la surface métallique peut atteindre 2 | 3 ordres de grandeur de la profondeur initiale d'implantation.
SPÉCIFICATIONS ET COMPOSITIONS CHIMIQUES (NOMINAUX)
| Matériel | Type | Composition chimique (en poids) |
| Moly pur | Mo1 | >99.95%min. MOIS |
| Alliage Ti-Zr-MOIS | TZM | Zr du Ti de 0,5 %/0,08 %/0,01 - 0,04 % C |
| MOIS-à haute fréquence-c | MHC | À haute fréquence de 1,2 %/0,05 - 0,12 % C |
| Rhénium de Moly | Plus | 5,0 % re |
| Tungstène de Moly | MoW20 | 20,0 % W |
| Tungstène de Moly | MoW505 | 0,0 % W |
(1) c'est une technologie non polluée pure de préparation de surface ;
(2) il n'a pas besoin d'activation thermique et d'environnement à hautes températures, ainsi il ne changera pas la dimension hors-tout et la finition extérieure de l'objet ;
(3) la couche d'implantation ionique est une nouvelle couche extérieure constituée par une série d'interactions physiques et chimiques entre le faisceau d'ions et la surface de substrat, et il n'y a aucun problème de épluchage entre lui et le substrat ;
(4) là n'est aucun besoin d'usinage et de traitement thermique après implantation ionique.
En technologie des semiconducteurs, l'implantation ionique a l'uniformité et la répétabilité à haute précision de dose. Elle peut obtenir la concentration et l'intégration de dopage idéales, pour améliorer considérablement la durée de vie d'intégration, de vitesse, de rendement et du circuit, et réduit la puissance de coût et. C'est différent de la déposition en phase vapeur.
Afin d'obtenir des paramètres idéaux, tels que l'épaisseur de film et la densité, la déposition en phase vapeur doit ajuster l'équipement plaçant des paramètres, tels que la température et le débit d'air, qui est un processus complexe.
En plus de l'industrie de production de semi-conducteur, avec le développement rapide de l'automation de contrôle industrielle, la technologie d'implantation ionique est également très utilisée dans l'amélioration des métaux, de la céramique, du verre, des composés, des polymères, des minerais et des graines d'usine.
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